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衬底温度对直流磁控溅射法沉积ZnO∶Ti薄膜性能的影响 ( EI收录)
Growth and Characterization of Ti-Doped ZnO Films by DC Magnetron Sputtering
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]山东理工大学理学院,淄博255049
基 金:山东省自然科学基金资助项目(No.ZR2009GL015)
年 份:2011
卷 号:31
期 号:1
起止页码:95-99
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号:20111213783995)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在衬底温度为100℃时,实验获得的TZO薄膜电阻率具有最小值2.95×10-4Ω.cm,400℃时薄膜出现孪晶,随着温度的升高,薄膜应力具有减小的趋势。实验制备的TZO薄膜附着性能良好,可见光区平均透过率都超过91%。
关 键 词:ZnO∶Ti薄膜 透明导电薄膜 衬底温度 磁控溅射
分 类 号:O484.1]
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