文献类型：期刊文章

作　　者：忽满利[1,2,3] 刘玉华[1,2,3] 刘继芳[1,2,3] 李育林[1,2,3]

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所 [2]佛山大学物理系 [3]西安电子科技大学应用物理系

出　　处：《光子学报》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：28

期　　号：7

起止页码：641-646

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文推导了光折变晶体角度编码多重全息存储中写入均匀光栅时的曝光时间递推公式．分析了散射效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响，给出了两种因素影响下曝光时间计算的修正递推公式．数值计算结果表明，按照这种修正公式计算所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好，而且振幅相对较大，这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量．实验中以递推公式所得时间进行曝光记录，在厚度为０．

关 键 词：时间递减  全息存储 扁形效应  光折变晶体

分 类 号：O734.1] TB877.1]