文献类型：期刊文章

作　　者：王平[1,2] 杨银堂[3] 刘增基[1] 尚韬[1] 郭立新[2]

机构地区：[1]西安电子科技大学通信工程学院综合业务网理论及关键技术国家重点实验室,陕西西安710071 [2]西安电子科技大学理学院,陕西西安710071 [3]西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071

出　　处：《计算物理》

基　　金：国家重点实验室人才基金(ISN1003006);中国博士后科学基金(20100481322)资助项目

年　　份：2011

卷　　号：28

期　　号：1

起止页码：145-151

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111313881916)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电阻的影响,栅偏置为0 V时,获得最大跨导约为48 mS.mm-1.计算结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算较为准确的优点,适于SiC器件以及电路研究使用.

关 键 词：碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 电流-电压特性 小信号参数  模型  

分 类 号：TN304.2]