文献类型：期刊文章

作　　者：于开坤[1,4] 张冠军[1] 田杰[1] 郑楠[1] 黄学增[1] 马新沛[2] 李光新[2] 山纳康[3] 小林信一[3]

机构地区：[1]西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049 [2]西安交通大学材料与工程学院,西安710049 [3]埼玉大学电气电子系统学部,日本埼玉县338-8570 [4]河南省电力勘测设计院,郑州450007

出　　处：《电工技术学报》

基　　金：国家自然科学基金重点项目(50911140103);国家自然科学基金(50777051);国家高技术发展计划(863)资助项目

年　　份：2011

卷　　号：26

期　　号：1

起止页码：23-28

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111613926807)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程。本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物Cu2O以及Cr2O3,研究掺杂之后材料的二次电子发射系数的变化,对不同掺杂工艺下试品的沿面闪络电压进行研究。结果发现:掺杂低二次电子发射系数金属氧化物能够相应降低可加工陶瓷材料的二次电子发射系数,通过研究不同加工工艺条件下材料的闪络电压,发现试样的闪络电压随其二次电子发射系数的降低而提高。

关 键 词：沿面闪络 可加工陶瓷 二次电子发射系数  真空

分 类 号：TM28[材料类] TM85]