文献类型：期刊文章

作　　者：郑军[1,2] 王晓宝[2] 关艳霞[1]

机构地区：[1]沈阳工业大学,辽宁沈阳110870 [2]江苏宏微科技有限公司,江苏常州213022

出　　处：《电力电子技术》

年　　份：2011

卷　　号：45

期　　号：1

起止页码：104-105

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用Ansys软件对大功率IGBT模块内部的传热机理进行分析研究,观察其对应不同功率等级下的IGBT内部传热情况,最后通过IGBT芯片到铜基板底面的不同温度来计算芯片的结壳热阻。对IGBT模块的热性能进行预评估,以便更好地为设计人员提供设计方案的依据。而且以搭建的实验平台为基础,测得一系列实验数据,并与仿真模型的结果进行比较,结果表明两者具有很好的一致性。在对流情况下,当大功率模块内的IGBT芯片结温达到约92℃时,功率器件的发热量约为121 W,而大功率模块内的结壳热阻为0.2℃/W。

关 键 词：大功率模块  热阻 绝缘栅双极晶体管

分 类 号：TN32]