文献类型：期刊文章

作　　者：马颖[1] 韩薇[2] 张方辉[1] 袁桃利[1] 刘丁涵[1] 蒋谦[1]

机构地区：[1]陕西科技大学电气与信息工程学院,陕西西安710021 [2]西安电力电子技术研究所,陕西西安710061

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：陕西省13115显示器工程中心建设项目(No.20072DGC-07);浙江省温州市科技计划项目(No.H20080004);陕西科技大学自然科学基金(No.ZX09-31)

年　　份：2011

卷　　号：26

期　　号：1

起止页码：40-43

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：制备了白光OLED器件,器件结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBPe[(20-x)]nm、ADN:TBPe:DCJTB(xnm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。研究了ADN:TBPE:DCJTB层厚度从0～8nm变化时对器件发光的影响。实验结果表明,当ADN:TBPE:DCJTB层厚度为0时,器件发蓝光;随着ADN:TBPE:DCJTB层厚度的增加,器件发光的色坐标从蓝光区进入白光区,在ADN:TBPE:DCJTB层厚度为6～8nm时得到色坐标较好的白光器件。

关 键 词：有机电致发光 白光 掺杂

分 类 号：TN383.1]