文献类型：期刊文章

作　　者：卢励吾[1] 张砚华[1] GeWeikun[2] W.Y.Ho[2] CharlesSurya[3] K.Y.Tongc[3]

机构地区：[1]中国科学院半导体材料科学开放实验室,北京100083 [2]香港科技大学物理系 [3]香港理工大学电子工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学重点基金资助项目;香港科技大学资助

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：8

起止页码：667-669

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用电流电压（ Ｉ Ｖ）、电致发光（ Ｅ Ｌ）和深能级瞬态傅里叶谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫． Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ研究表明，电流冲击之前，样品存在一个位于导带下 １１ｅ Ｖ 处深能级（ Ｅ１），它具有 ２７×１０１３ ｃｍ － ３ 浓度和 ５×１０－ １４ ｃｍ ２ 俘获截面．经电流冲击（７７ Ｋ，２００ｍ Ａ 和 ４０ｍ ｉｎ）后， Ｅ１ 浓度为４２１×１０１３ｃｍ － ３ ，约增加了 ２ 倍．实验结果表明 Ｅ１ 浓度的增加与样品 Ｉ Ｖ、 Ｅ Ｌ

关 键 词：Ⅲ-Ⅴ族  化合物半导体 氮化物 试验  

分 类 号：TN304.23] TN304.07