文献类型：期刊文章

作　　者：韩培育[1,2] 季静佳[2,3] 王振交[2] 李果华[1,3]

机构地区：[1]江南大学理学院,无锡214122 [2]无锡尚德太阳能电力有限公司,无锡214028 [3]江苏省(尚德)光伏技术研究院,无锡214028

出　　处：《太阳能学报》

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：12

起止页码：1549-1552

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111413890593)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：首先使用正交设计法对SiN_X和SiO_2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO_2-SiN_X叠层钝化膜,并与SiN_X单层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化,考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果,结果表明SiO_2-SiN_X叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率,其反射率曲线基本相同。最后,测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能,其短路电流和开路电压均比采用SiN_X单层膜的电池要好,转换效率提高了0.25%。

关 键 词：多晶硅 太阳电池 PECVD 氮化硅 二氧化硅  减反射  钝化  

分 类 号：TM914.4]