文献类型：期刊文章

作　　者：张穗萌[1,2] 吴兴举[1] 陈展斌[2] 杨欢[1] 刘向远[1]

机构地区：[1]安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所,六安237012 [2]安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖241000

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：安徽省自然科学基金(03406203);安徽省教育厅重大科研项目基金(ZD2007002-1);安徽省高校拔尖人才专项基金

年　　份：2010

卷　　号：27

期　　号：6

起止页码：1105-1113

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感.

关 键 词：中高能入射电子  有效电荷 屏蔽效应

分 类 号：O561.5]