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第一性原理研究空位点缺陷对高压下LiF的电子结构和光学性质的影响 ( EI收录)
Effects of the vacancy point-defect on electronic structure and optical properties of LiF under high pressure: A first principles investigation
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]四川师范大学物理与电子工程学院,成都610068
基 金:国家自然科学基金(批准号:10299040);四川师范大学科技基金资助的课题~~
年 份:2011
卷 号:60
期 号:2
起止页码:541-545
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000287947000079)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,分别计算了102GPa压力下LiF理想晶体、含Li-1空位和F+1空位点缺陷晶体时的电子结构和光学性质.结果表明:空位点缺陷的存在使得LiF能隙中出现了缺陷态;在可见光范围内,空位点缺陷的存在不会影响LiF的高压光吸收性(吸收系数仍为零);在紫外光波段,Li-1空位存在时在约99—114nm波段内出现了弱的吸收,F+1空位存在时在约99—262nm波段内出现了明显的吸收;Li-1,F+1两种空位分别存在时对LiF的反射谱和能量损失谱产生的影响都集中在紫外光区,与对光吸收产生的影响相似.
关 键 词:LIF 第一性原理 空位点缺陷 光学透明性
分 类 号:O482.3]
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