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期刊文章详细信息

现代MOCVD技术的发展与展望    

RECENT PROGRESS IN MOCVD TECHNOLOGY

  

文献类型:期刊文章

作  者:文尚胜[1,2] 廖常俊[1] 范广涵[1] 刘颂豪[1] 邓云龙[1] 张国东[1]

机构地区:[1]华南师范大学量子电子学研究所 [2]华南理工大学应用物理学系广州510641

出  处:《华南师范大学学报(自然科学版)》

年  份:1999

卷  号:31

期  号:3

起止页码:99-107

语  种:中文

收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘  要:MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代MOCVD 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘MOCVD技术-

关 键 词:MOCVD技术 有机金属化合物 气相外延 衬底

分 类 号:TN304.05]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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