期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]华南师范大学量子电子学研究所 [2]华南理工大学应用物理学系广州510641
年 份:1999
卷 号:31
期 号:3
起止页码:99-107
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要:MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代MOCVD 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘MOCVD技术-
关 键 词:MOCVD技术 有机金属化合物 气相外延 衬底
分 类 号:TN304.05]
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