文献类型：期刊文章

作　　者：吕纯[1] 蒋婷[2] 周昕杰[2,3]

机构地区：[1]江苏省无锡交通高等职业技术学院电气与信息工程系,江苏无锡214151 [2]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035 [3]东南大学电子科学与工程学院,南京210096

出　　处：《电子与封装》

年　　份：2010

卷　　号：10

期　　号：12

起止页码：32-35

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:SONOS结构的EEPROM单元,其抗辐射性能优于FLOTOX结构。并分析了在辐射条件下,SONOS结构受辐射影响的数学模型。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM研究提供了理论基础。

关 键 词：SONOS EEPROM 辐射效应  非易失性存储器 FLOTOX  

分 类 号：TN303]