文献类型：期刊文章

作　　者：孙永堂[1] 周骏[1,2] 孙铁囤[3] 邸明东[1] 苑红伟[1]

机构地区：[1]江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系,江苏镇江212013 [2]宁波大学理学院光学与光电子技术研究所,浙江宁波315211 [3]常州亿晶光电科技有限公司,江苏常州213223

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(60977048);浙江省"钱江人才"项目(2007R10015);宁波市重点实验室基金项目(2007A22006);宁波市自然科学基金项目(2008A610001);江苏大学与常州亿晶光电科技有限公司联合研发项目

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：6

起止页码：870-875

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面缺陷密度增大,主要降低开路电压和填充因子,衬底背表面界面缺陷态密度主要影响短路电流和填充因子。其次,p型硅衬底厚度减小和氧缺陷密度的增大,均导致短路电流密度下降,电池转化效率降低,特别是在界面缺陷态密度较低时,氧缺陷密度对电池性能影响较大;最后,在衬底前表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2,后表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2以及氧缺陷密度为109cm-2时,衬底电阻率存在最优值1Ω.cm。

关 键 词：双面异质结  c—Si(p)衬底  太阳电池 AFORS·HET  

分 类 号：TM914.4]