文献类型：期刊文章

作　　者：刘云燕[1,2] 程传福[1] 宋洪胜[1] 臧永丽[2] 杨善迎[1,3]

机构地区：[1]山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250015 [2]山东理工大学理学院,山东淄博255049 [3]莱芜职业技术学院信息工程系,山东莱芜271100

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(10874105;10974122);山东省自然科学基金(ZR2009FZ006)资助课题

年　　份：2011

卷　　号：31

期　　号：1

起止页码：272-276

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：薄膜表面形貌定量研究有助于薄膜生长机理的认识。研究的薄膜是用激光脉冲沉积法(PLD)制备的ZnO∶Ga(GZO)透明导电薄膜。由于GZO薄膜的生长是在远离平衡态情况下实现的,具备自仿射分形特征,可以用高度-高度相关函数进行描述。通过对用原子力显微镜(AFM)获得的表面高度数据进行相关运算,定量地分析了PLD制备的GZO薄膜的生长界面特征,求出了描述粗糙表面的高度-高度相关函数的三个重要参量W,ξ和α,发现制备的GZO薄膜生长符合Kuromoto-Sivashinsky生长模型。

关 键 词：薄膜  ZNO:GA 原子力显微镜 高度-高度相关函数  表面形貌

分 类 号：O484.1]