文献类型：期刊文章

作　　者：周脉鱼[1] 周蕾[2] 郑南[1] 韩宇[1]

机构地区：[1]空军航空大学特种专业系,吉林长春130000 [2]吉林市计量测试技术研究院,吉林吉林132013

出　　处：《中国激光》

年　　份：2011

卷　　号：38

期　　号：1

起止页码：248-252

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111213784065)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：近年来,可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料,而p-i-n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐。采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p-i-n结构的GaN紫外光电探测器。在此基础上,采用N2气氛下热退火处理的方法,提高了p型GaN层的载流子浓度,从而降低了器件的暗电流。器件在1 V偏压下,暗电流仅为65 pA。器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在361 nm处,大小为0.92 A/W。

关 键 词：光学器件 光电探测器 氮化镓 响应度 p-i—n结构  暗电流

分 类 号：O472]