文献类型：期刊文章

作　　者：郭祥[1,2] 罗子江[1,3] 张毕禅[1,2] 尚林涛[1,2] 周勋[1,4] 邓朝勇[1,2] 丁召[1,2]

机构地区：[1]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 [2]贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 [3]贵州财经学院教育管理学院,贵州贵阳550004 [4]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001

出　　处：《物理实验》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.60886001);贵州省委组织部高层人才科研特助项目(No.TZJF-2008-31);贵州省科技厅基金项目(黔科合J字[2007]2176号);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金项目(黔省专合字(2009)114号);教育部新世纪优秀人才支持计划(No.NCET-08-0651);贵州省优秀青年科技人才培养计划(No.[2009]-15)

年　　份：2011

卷　　号：31

期　　号：1

起止页码：11-15

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、核心刊

摘　　要：报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.

关 键 词：MBE RHEED GAAS(001)衬底 强度振荡  InAs生长速率  

分 类 号：O484.1]