期刊文章详细信息
稀磁半导体GaMnAs的物理性质研究
Physical Properties of Diluted Magnetic Semiconductors (Ga,Mn) As
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]齐鲁师范学院物理系,山东济南250013 [2]泰安师范附属学校,山东泰安271000
基 金：山东省教育厅科技计划项目(J08LI62)
年 份：2010
卷 号：25
期 号：6
起止页码：21-24
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜,通过XRD对样品进行分析,从实验和理论上分析生长条件、退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响.尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化,从而深入理解掺杂原子的周围结构与磁性之间的关系,为下一步制备自旋器件提供高载流子浓度、高居里温度的(Ga,Mn)As材料提供了可能性.
关 键 词：分子束外延 X射线衍射 居里温度
分 类 号：O469]
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