文献类型：期刊文章

作　　者：陈波[1]

机构地区：[1]沈阳芯源微电子设备有限公司,沈阳100168

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家科技重大专项(2009ZX02008);科技部国际合作计划(2010DBF10660);沈阳市科技专项资助项目(Z201001008)

年　　份：2011

卷　　号：36

期　　号：1

起止页码：14-16

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。

关 键 词：铜污染 湿法 单片清洗  硅片背面  刻蚀

分 类 号：TN305.99]