文献类型：期刊文章

作　　者：周勋[1,2] 杨再荣[1] 罗子江[1] 贺业全[1] 何浩[1] 韦俊[2] 邓朝勇[1] 丁召[1]

机构地区：[1]贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025 [2]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60866001);贵州省委组织部高层人才科研特助项目(批准号:Z073011,TZJF-2008-31);贵州省科技厅基金(批准号:Z073085);贵州大学博士基金(批准号:X060031);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(批准号:黔省专合字(2009)114号);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-08-0651);贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:[2009]-15)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：1

起止页码：481-485

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000287419100073)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.

关 键 词：分子束外延 反射式高能电子衍射  表面重构  温度校准

分 类 号：O484.1]