文献类型：期刊文章

作　　者：薛川[1] 梁聪[2] 张晓东[3,4] 胡善文[2] 高怀[2]

机构地区：[1]东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 [2]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏南京210096 [3]苏州工业园区教育投资发展有限公司 [4]苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州215123

出　　处：《电子科技》

年　　份：2011

卷　　号：24

期　　号：1

起止页码：59-64

语　　种：中文

收录情况：CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、RCCSE、普通刊

摘　　要：采用电磁场（EM）建模的分析方法，提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型，并应用于一种π形匹配网络的设计，该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素，对无源元件电特性的影响，基于GaAs半导体工艺进行了流片。测试结果表明，在0．1～40GHz频率范围内，采用EM技术提取的元件参数值有效地吻合了其测试值。采用EM等效电路模型设计的电路与传统模型设计的电路相比，更接近于流片后的实际结果，该方法不仅有效地提高了微波集成电路设计的准确度，而且缩短了设计周期、节省了设计成本。

关 键 词：砷化镓 无源元件 电磁仿真 等效电路模型

分 类 号：TN303]