文献类型：期刊文章

作　　者：郑富中 唐一科 周兆英 杨兴 吴英

ZHENG Fuzhong, TANG Yike, ZHOU Zhaoying, YANG Xing, WU Ying（1College of Mechanical Engineering,Chongqing University,Chongqing,400044,CHN）（2MEMS Lab.,Department of Precision Instruments ＆ Mechanology,Tsinghua University,Beijing,100084,CHN）（3The State Key Lab.of Precision Measurement Technology and Instrumentation,Tsinghua University,Beijing,100084,CHN）（4Chongqing University of Science and Technology,Chongqing,401331,CHN）

机构地区：重庆大学机械工程学院,重庆400044 重庆科技学院机械与动力工程学院 清华大学精密仪器与机械学系微系统与控制技术研究室,北京100084 清华大学精密仪器与机械学系微系统与控制技术研究室,北京100084 重庆科技学院电气与信息工程学院

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2010

卷　　号：30

期　　号：4

起止页码：601-605

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD（2011-2012）、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：单壁碳纳米管（Single-walled carbon nanotube,SWCNT）有许多异常的电特性,要完全实现其在实际电子系统中的潜在应用价值,需要在器件与电路的结合上有不断创新的方法。由于SWCNT在电子学上分为金属型和半导体型两大类,其中每一大类根据手性的不同在电特性上又各有差异,再加上要合成或合成后分离出单一手性的SWCNT,目前的技术还存在相当大的难度。结合化学气相沉积中的控制生长、控制转移排列整齐有序的SWC-NT阵列与微加工工艺等方法,将SWCNT阵列作为一个器件单元来进行测试,测试结果显示了一定的场效应特性。

关 键 词：单壁碳纳米管阵列  化学气相沉积 控制转移  场效应

分 类 号：TN32]