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期刊文章详细信息

电子束蒸镀H4膜工艺及其在808nm激光器腔面膜上的应用  ( EI收录)  

Process Investigation of H4 Thin Film Prepared by Electron Beam Evaporation and Application on Laser Diodes Cavity Coatings

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘春玲[1] 王春武[1] 王广德[1] 乔忠良[2] 姜文龙[1] 么艳平[1] 陈万金[3]

机构地区:[1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000 [2]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [3]吉林师范大学物理学院,吉林四平136000

出  处:《中国激光》

基  金:国家青年基金(10804036);吉林省科技发展计划项目(20080528;20082112);四平市科技局计划项目(四科合字第2008013号)资助课题

年  份:2010

卷  号:37

期  号:12

起止页码:3140-3144

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20111213783615)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用离子辅助电子束蒸镀H4(H4是两种激光损伤阈值较高的材料氧化钛和氧化镧化合而成,分子式LaTiO3)薄膜。研究了氧气压力和基底温度对薄膜的光学性能的影响。实验发现,随着基底温度升高,H4膜的折射率n明显增加,基底温度为100℃时,n808 nm=2.14;随着氧气压力的降低,H4膜的消光系数k变化很小,氧气压力为2.67×10-2Pa时,在400 nm以上波段几乎没有吸收,k400 nm=2×10-4。将优化的工艺参数用于808 nm激光器腔面高反射膜的镀制,并与采用氧化钛作为高反射膜镀制的激光器进行了比较,获得的激光输出特性略好于氧化钛的器件。因此,采用H4制备半导体激光器高反射膜是一种完全可行的新方法。

关 键 词:薄膜  H4膜  半导体激光器 腔面膜  电子束蒸发

分 类 号:TN248.4] O484.4]

参考文献:

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同被引文献:

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