文献类型：期刊文章

作　　者：原子健[1] 朱夏明[1] 王雄[1] 张莹莹[1] 万正芬[1] 邱东江[1] 吴惠桢[1] 杜滨阳[2]

机构地区：[1]浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,杭州310027 [2]浙江大学高分子系,杭州310027

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(60676003);浙江省自然科学基金(Z406092)

年　　份：2010

卷　　号：25

期　　号：2

起止页码：141-144

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20101512841544)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000275254700006)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000275254700006)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜,通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应,研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性.实验发现,氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大.X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体,并且随着生长温度的升高,可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小,这也说明结晶质量的改善.在可见光范围的透射率超过90%.同时,在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大,其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω.cm、9.69 cm2/(V.s)和1×1018cm-3.退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.

关 键 词：氧化铟 射频磁控溅射 表面形貌 X射线衍射 电学特性

分 类 号：TQ174]