期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]武汉大学物理系加速器实验室
出 处:《Journal of Semiconductors》
年 份:1999
卷 号:20
期 号:5
起止页码:395-399
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:本文探讨了用平面磁控溅射法制备TiO2薄膜.研究了TiO2薄膜结构随溅射条件(衬底温度、氧分压、工作气压)的变化.用X射线衍射(XRD)测薄膜结构,用X射线光电子能谱(XPS)测薄膜钛氧成分比.得到了制备金红石相和锐钛矿相TiO2薄膜的最佳工艺参数.
关 键 词:二氧化钛薄膜 制备 结构
分 类 号:TN304.21] TN304.055
参考文献:
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