文献类型：期刊文章

作　　者：冯士维[1] 谢雪松[1] 吕长志[1] 张小玲[1] 何焱[1] 沈光地[1]

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：北京市科技新星培养计划

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：5

起止页码：358-364

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2000215118160)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度分布，结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下，电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性．

关 键 词：半导体器件 热特性 电学法 测量  

分 类 号：TN307]