期刊文章详细信息
宽禁带半导体功率器件
Wide Bandgap Semiconductor Power Devices
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]浙江大学信电系功率器件研究所
年 份：1999
卷 号：24
期 号：2
起止页码：1-4
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
关 键 词：宽禁带 半导体功率器件 功率器件 碳化硅 金刚石
分 类 号：TN304.18] TN304.24
参考文献：
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