文献类型：期刊文章

作　　者：张忠朋[1] 李光旻[2] 张晓松[1] 徐生艳[1] 马玢[3] 王兰芳[4] 李岚[1]

机构地区：[1]天津理工大学材料物理研究所显示材料与光电器件教育部重点实验室天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津300191 [2]天津城市建设学院基础部,天津300384 [3]南开大学物理学院,天津300071 [4]天津理工大学电信学院天津市薄膜电子与器件重点实验室,天津300191

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：天津市自然科学基金资助项目(07JCYBJC06400,09JCYBJC01400);天津市高等学校科技发展基金计划资助项目(20071207)

年　　份：2010

卷　　号：21

期　　号：12

起止页码：1809-1812

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20110213568864)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。

关 键 词：BaZr(BO3)2:Eu荧光粉  电荷迁移态(CTS)  强度参数  能量传递  

分 类 号：O482.31]