文献类型：期刊文章

作　　者：郑秋云[1] 李明军[1] 舒适[1]

机构地区：[1]湘潭大学数学与计算科学学院,科学工程计算与数值仿真湖南省重点实验室,湘潭411105

出　　处：《力学学报》

基　　金：国家自然科学基金(10771178);国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金(10676031);国家“863”高技术惯性约束聚变专题,教育部博士点基金(20070530003);教育部重点项目(208093)资助~~

年　　份：2010

卷　　号：42

期　　号：6

起止页码：1060-1067

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20105213523554)、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：推导了具有对流效应的化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)润滑模型,研究各参数对压力场分布的影响.在此模型基础上,研究了磁流体抛光液在外界磁场作用下的润滑模型,以及外磁场对抛光过程中压力场分布的影响.数值结果表明,具有对流效应的润滑模型的压力分布与已有经验结果更一致,能更为有效地解释CMP过程中的负压现象;进一步通过外界磁场的作用,可以有效地改变磁流体CMP的压力分布,这为实现对晶片的全局抛光提供了一种可供参考的新途径.

关 键 词：化学机械抛光 润滑模型 磁流体 (抛光液)对流效应  晶片

分 类 号：O361.3]