文献类型：期刊文章

作　　者：严富学[1] 赵高扬[1,2] 刘和光[2]

机构地区：[1]西安理工大学现代分析测试中心,陕西西安710048 [2]西安理工大学材料学院,陕西西安710048

出　　处：《电子显微学报》

年　　份：2010

卷　　号：29

期　　号：5

起止页码：420-424

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用溶胶-凝胶法在单晶硅上制备了钴铁氧体薄膜。在不同温度下对样品进行了退火处理,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)等分析了样品的物相组成、晶粒大小、表面形貌、样品厚度及不同温度下的磁性能。结果表明:制备出的CoFe2O4薄膜为尖晶石结构,表面比较致密,平均晶粒尺寸20～50 nm。在173～400 K范围内,随着温度的升高,钴铁氧体薄膜的矫顽磁场逐步减小,而磁矩是先增加后减少,并对产生的原因进行了分析。

关 键 词：CoFe2O4薄膜  铁氧体 溶胶-凝胶法 磁性能

分 类 号：TM271[材料类] TM277]