文献类型：期刊文章

作　　者：丁华锋[1] 严维敏[2] 王钟[3] 胡善文[4] 高怀[4]

机构地区：[1]东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 [2]苏州大学应用技术学院机电工程系,江苏苏州215325 [3]南京大学电子科学与工程系声学研究所,南京210093 [4]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096

出　　处：《电讯技术》

年　　份：2010

卷　　号：50

期　　号：11

起止页码：80-84

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明：在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。

关 键 词：发射机 达林顿结构  共射共基  负反馈 放大器 增益模块

分 类 号：TN721.1]