文献类型：期刊文章

作　　者：张国炳[1] 郝一龙[1] 田大宇[1] 刘诗美[1] 王铁松[1] 武国英[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：6

起止页码：463-467

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求．

关 键 词：多晶硅薄膜 VLSI LPCVD 制备  应力特性  

分 类 号：TN470.5] TN204