文献类型：期刊文章

作　　者：杨晓燕[1] 尤立星[1] 张礼杰[2] 黄少铭[2] Mintu Mondal[3] Sanjeev Kumar[3] John Jesudasan[3] Pratap Raychaudhuri[3]

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]温州大学,纳米材料与化学重点实验室,温州325027 [3]Tata Institute of Fundamental Research,Homi Bhabha Rd.,Colaba,Mumbai 400005,India

出　　处：《低温与超导》

基　　金：自然科学基金(60801046);科技部973项目(2009CB929602);上海市科学技术委员会(08dz1400702,08PJ1411200,09DJ1400700)资助项目

年　　份：2010

期　　号：11

起止页码：1-4

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、核心刊

摘　　要：超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的。所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%。

关 键 词：超导纳米线单光子探测器  电子束曝光 反应离子刻蚀 探测效率  

分 类 号：TB383[材料类]