期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]云南大学佐波传感技术研究中心 [2]云南大学实验中心
年 份:1999
期 号:5
起止页码:28-30
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1996、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要:】实验发现WO3半导体材料对O3有好的敏感特性,而且元件的烧结温度和工作温度对其敏感特性有大的影响。在对这些参数优化的基础上,研制出了具有较好特性的O3气敏元件。测定了元件灵敏度与O3浓度的关系,初步讨论了元件对O3气体敏感的机制。
关 键 词:半导体 臭氧传感器 三氧化镍 臭氧 敏感特性
分 类 号:TP212.04] X13]
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