文献类型：期刊文章

作　　者：王刚[1,2,3] 刘宏宇[1,2,3] 赵超[1,2,3] 杨柏梁[1,2,3] 黄锡珉[1,2,3]

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所 [2]北方液晶工程研究开发中心 [3]吉林大学电子工程系

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：中国科学院"九五"重大项目;吉林省科委"九五"科技攻关项目

年　　份：1999

卷　　号：14

期　　号：1

起止页码：23-28

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：研究了直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ＩＴＯ薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ＩＴＯ薄膜，可见光透过率高于８５％，在厚度为１００ｎｍ时其方块电阻在１５０～２００Ω／□之间，并且ＩＴＯ薄膜的制备工艺完全与ＡＭＬＣＤ中ＴＦＴ器件的制作工艺兼容。

关 键 词：直流磁控溅射 薄膜  TIO 半导体  透过率 真空退火

分 类 号：TN304.21] TN304.055