文献类型：期刊文章

作　　者：胡辉勇[1] 崔晓英[1,2] 张鹤鸣[1] 宋建军[1] 戴显英[1] 宣荣喜[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071 [2]中国电子科技集团第五研究所分析中心,广州510610

出　　处：《电子器件》

基　　金：国家部委资助项目(51308040203,6139801,72104089)

年　　份：2010

卷　　号：33

期　　号：4

起止页码：438-441

语　　种：中文

收录情况：CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学特性参数模型,并用MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对PMOSFET进行模拟是非常有用的工具。

关 键 词：应变SI PMOSFET 阈值电压 I-V特性

分 类 号：TN432]