文献类型：期刊文章

作　　者：王璐[1,2] 温殿忠[1,2] 刘红梅[1,2] 田丽[3] 莫兵[3]

机构地区：[1]黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080 [2]黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨150080 [3]哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨150001

出　　处：《传感技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助(60676044);黑龙江省教育厅科学技术研究项目资助(11541266);黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室基金资助(DZZD20100037)

年　　份：2010

卷　　号：23

期　　号：9

起止页码：1226-1231

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。

关 键 词：MEMS 硅脉象传感器  MOSFET 纳米硅/单晶硅异质结  

分 类 号：TP212]