文献类型：期刊文章

作　　者：邸明东[1] 周骏[1,2] 孙铁囤[3] 孙永堂[1]

机构地区：[1]江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系,镇江212013 [2]宁波大学理学院光电子技术研究所,宁波315211 [3]常州亿晶光电科技有限公司,常州213223

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：国家自然科学基金(60977048);宁波市重点实验室基金(2007A22006);江苏大学-常州亿晶光电科技有限公司联合研发项目

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：10

起止页码：1343-1348

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20105113511761)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。

关 键 词：a-Si(n)/c—Si(p)异质结太阳电池  微晶硅 背面场  AFORS—HET  

分 类 号：TM615]