文献类型：期刊文章

作　　者：董正超[1]

机构地区：[1]淮阴师范学院物理系

出　　处：《物理学报》

基　　金：江苏省教委自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：48

期　　号：5

起止页码：926-926

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000082333100020)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射，运用ＢｏｇｏｌｉｕｂｏｖｄｅＧｅｎｎｅｓ（ＢｄＧ）方程和ＢｏｌｏｎｄｅｒＴｉｎｋｈａｍＫｌａｐｗｉｊｋ（ＢＴＫ）理论模型，计算正常金属ｄ波超导隧道结的微分电导．计算发现：隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位，并能展示零偏压电导峰的存在；此外，杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷，而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰．

关 键 词：正常金属 超导隧道结 杂质  散射  高TC 微分电导

分 类 号：O511.1]