文献类型：期刊文章

作　　者：聂招秀[1] 王腊节[2]

机构地区：[1]重庆大学物理学院,重庆400030 [2]南昌大学共青学院工程技术系,江西九江332020

出　　处：《四川理工学院学报（自然科学版）》

年　　份：2010

卷　　号：23

期　　号：5

起止页码：613-617

语　　种：中文

收录情况：CAS、IC、UPD、普通刊

摘　　要：文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,结合广义梯度近似计算了Cu掺杂AlN的晶格常数、能带结构、电子态密度、铁磁态和反铁磁态的总能量,并通过平均场近似的海森堡模型估算了居里温度Tc。结果表明,Cu掺杂体系的能带结构呈现半金属性,半金属能隙为0.442eV。铁磁性是Cu原子的3d态与其最近邻的N原子的2p态通过p-d杂化作用而稳定的。当两个Cu原子相距最远且自旋平行排列时,体系具有最低的能量,估算出此时的居里温度高于室温,因此Cu掺杂AlN有望作为稀磁半导体材料。

关 键 词：ALN Cu  铁磁性 稳定性 第一性原理计算

分 类 号：O482.54[材料类]