文献类型：期刊文章

作　　者：赵晓锋[1,2] 温殿忠[1,2] 王天琦[2] 丁玉洁[2]

机构地区：[1]黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,黑龙江哈尔滨150080 [2]黑龙江大学集成电路重点实验室,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676044;61006057);黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室资助项目(DZZD20100013);黑龙江省教育厅科学技术研究资助项目(11521215)

年　　份：2010

卷　　号：41

期　　号：10

起止页码：1753-1756

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20104913466580)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。

关 键 词：纳米多晶硅薄膜  结构特性 LPCVD 退火

分 类 号：O484]