文献类型：期刊文章

作　　者：朱宝仁[1] 张宝顺[1] 薄报学[1] 张兴德[1]

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《兵工学报》

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：2

起止页码：189-192

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1999074724828)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到

关 键 词：无铝 高功率 半导体激光器 SQW SCH

分 类 号：TN248.4]