文献类型：期刊文章

作　　者：刘如彬[1,2] 王帅[1,2] 孙强[1,2] 孙彦铮[1,2]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300381 [2]天津蓝天太阳科技有限公司,天津300381

出　　处：《电源技术》

年　　份：2010

卷　　号：34

期　　号：10

起止页码：1041-1043

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)进行了最终组分为In0.17Ga0.83As的渐变缓冲层结构的生长实验,获得了可以应用于晶格失配太阳电池性能优良的渐变缓冲层材料,并采用透射电镜(TEM)和X射线双晶衍射(XRD)进行了结构的相关性质研究。TEM截面图像表明,穿透位错被很好地限制在渐变层的初始阶段,渐变层成功阻止了穿透位错向结构表层的传播;同时,在TEM的平面模式中,表面几乎观察不到穿透位错的存在,表明其表面穿透位错密度小于107 cm-2量级。XRD的倒空间衍射(RSM)测试表明,缓冲层和其上的有源层接近完全弛豫,弛豫度分别为93%和96%,有源层存在微弱的压应变,表面残留应变小于0.04%。后续采用渐变缓冲层的晶格失配太阳电池器件正在制作中。

关 键 词：晶格失配 太阳电池 渐变缓冲层  TEM RSM

分 类 号：TM914.4]