期刊文章详细信息
Si基GaN外延生长
GrowthofGaNonSiSubstrate
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京大学物理系固体物理研究所
基 金：国家863计划;教育部博士点基金;自然科学基金;国家攀登计划;南京市科委基金
年 份：1999
卷 号：19
期 号：2
起止页码：199-202
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：报道了在光辐射加热低压ＭＯＣＶＤ（ＲＴＰ／ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）系统上，用Ｓｉ衬底成功生长了ＧａＮ外延薄膜。利用ＸＲＤ、拉曼光谱、霍耳测量及室温光致发光谱对外延薄膜进行了表征，初步的肖特基结制作表明了外延薄膜具有一定的器件质量。
关 键 词：化学汽相沉积 氮化镓 外延生长 硅基
分 类 号：TN304.23] TN304.054
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