文献类型：期刊文章

作　　者：虞灿[1] 夏海平[1] 罗彩香[1] 胡元[1] 陈红兵[2] 徐军[3]

机构地区：[1]宁波大学光电子功能材料重点实验室,浙江宁波315211 [2]宁波大学材料与化学工程学院,浙江宁波315211 [3]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家自然科学基金(50972061);浙江省杰出青年科学自然基金(R4100364);宁波市科技局(2009A610007);宁波大学王宽诚幸福基金资助课题

年　　份：2010

卷　　号：37

期　　号：10

起止页码：2610-2614

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达25 mm×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色。在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396～1550 nm(中心波长为1504 nm)与较强的1037～1274 nm(中心波长为1078 nm)波段的近红外宽带发光,并测定其荧光寿命分别为238μs和294μs。从生长初期的青黄色到生长后期的血红色晶体,1504 nm波段的荧光强度逐步增强,而1078 nm波段的荧光强度逐步减弱。根据实验结果初步探讨了红外宽带发光的机理和起因,1078 nm波段的荧光发射与Bi离子的掺杂有密切关系,而弱的1504 nm荧光发射可能与晶体中的杂质或掺杂后形成的缺陷等因素有关。

关 键 词：材料  CdWO4单晶  坩埚下降法 近红外宽带发光  

分 类 号：O782] O734