文献类型：期刊文章

作　　者：来冰[1] 丁训民[1] 袁泽亮[1] 周翔[1] 廖良生[1] 张胜坤[1] 袁帅[1] 侯晓远[1] 陆尔东[2] 徐彭寿[2] 张新夷[2]

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室 [2]中国科学技术大学同步辐射实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：7

起止页码：543-547

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率，结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论。

关 键 词：铟锡氧化物 ITO SRPES  实验  

分 类 号：TN304.21]