文献类型：期刊文章

作　　者：杜欢[1] 王晟[2] 刘恋恋[1] 刘忠祥[1] 李振[1] 卢南[1] 刘福生[1]

机构地区：[1]南京林业大学理学院化学与材料科学系,南京210037 [2]南京工业大学化学化工学院,南京210009

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(50876047)资助项目~~

年　　份：2010

卷　　号：26

期　　号：10

起止页码：2726-2732

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000282220200021)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000282220200021)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以醋酸镉、十二硫醇、硬脂酸和醋酸钴等为原料,采用新方法制备了CdS和一系列p-CoO/n-CdS复合半导体光催化剂.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、N2吸附-脱附和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等对产物进行了表征.结果表明,p-CoO/n-CdS复合半导体中,CoO粒子紧密结合在CdS颗粒上,CdS的颗粒粒径在100 nm左右,为六方纤锌矿晶型,CoO的颗粒粒径在10 nm左右,颗粒粒径分布均匀.p-CoO/n-CdS的UV-Vis DRS分析结果表明,在400-550 nm范围内都有一强吸收带,属于CdS在可见光区的特征吸收.用光催化降解甲基橙测试了光催化性能,结果表明,p-CoO/n-CdS光催化活性是CdS光催化活性的2.2倍左右.光腐蚀测试结果表明,CdS的光腐蚀速率是p-CoO/n-CdS中CdS光腐蚀速率的2倍以上,说明CoO与CdS复合对CdS的光腐蚀具有明显的抑制作用.

关 键 词：光催化  p-n复合半导体  氧化钴 硫化镉 表征  

分 类 号：O643.36]