文献类型：期刊文章

作　　者：徐志钮[1] 律方成[1] 李和明[1]

机构地区：[1]华北电力大学生物质发电成套设备国家工程实验室,保定071003

出　　处：《高电压技术》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2009CB724508)~~

年　　份：2010

卷　　号：36

期　　号：9

起止页码：2278-2284

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20104613383450)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：憎水性时表面的分离水珠对电场有畸变作用,容易导致局部放电。为此,基于有限元法建立了110kV瓷支柱绝缘子的真实模型和模拟的复合支柱绝缘子模型,基于准静态拟谐性场分析了分离水珠存在时表面电场/电位的分布情况并与不存在水珠的情况进行了比较,获得了容易发生局部放电的区域和水珠畸变场强的影响范围。同时分析了接触角、水珠间距、电导率对电场的影响,结果表明:水珠的存在畸变了其附近的电场,但对电场的整体分布和电位影响很小;上下金具附近、伞裙上表面与柱体相交处是电场集中区域;电场仅在大伞裙外侧以内小范围内发生畸变;复合支柱绝缘子沿面电场略小于同样形状的瓷支柱绝缘子;随着水珠接触角的增加/间距的减少电场畸变更严重;实际情况中水的电导率对场强几乎没有影响。

关 键 词：支柱绝缘子 室温硫化(RTV)  憎水性 分离水珠 局部放电  电场畸变

分 类 号：TM852] TM216[材料类]