期刊文章详细信息
金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展
The Recent Research Progress of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]京东方科技集团股份有限公司TFT-LCD器件与材料技术研究所,北京100176 [2]山东省泰山学院物理与电子工程学院,山东泰安271021
年 份：2010
期 号：10
起止页码：28-32
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法。
关 键 词：薄膜晶体管 氧化铟镓锌 氧化物 器件结构
分 类 号：TN383.1]
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