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期刊文章详细信息

一种预失真可调InGaP/GaAs HBT射频功率放大器    

A New InGaP/GaAs HBT RF Power Amplifier with Programmable Pre-distortion

  

文献类型:期刊文章

作  者:钱罕杰[1] 王钟[2] 胡善文[3] 张晓东[4] 高怀[3]

机构地区:[1]东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 [2]南京大学电子科学与工程系声学研究所,南京210093 [3]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096 [4]苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州215123

出  处:《微电子学》

年  份:2010

卷  号:40

期  号:5

起止页码:675-679

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:提出了一种具有可调预失真功能的共集电极放大电路,对其动态偏置点及双负反馈回路进行了分析。AWR Microwave Office仿真表明:该预失真电路产生的增益扩展与负相位偏差可以补偿该功率放大器后级电路产生的增益压缩和正相位偏差,提高其线性度。采用该预失真电路作为输入级,设计了一款功率放大器,并基于截止频率为29.5GHz的2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片。测试结果表明,该宽带放大器在3.5V偏置电压下和1.3~2.0GHz频段范围内功率增益可达27dB,P1dB为28.6dBm,最大功率附加效率为39%。

关 键 词:功率放大器 异质结双极晶体管 预失真 负反馈回路  

分 类 号:TN722.75]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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