文献类型：期刊文章

作　　者：杨子义[1,2] 郝正同[1] 谢泉[1]

机构地区：[1]贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025 [2]贵阳学院物理与电子信息科学系,贵阳550005

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(60766002);科技部国际合作重点项目(2008DFA52210);贵州省信息产业厅项目(0831);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2010]2002号);贵阳市科技计划项目(2009筑科大第6号)

年　　份：2010

卷　　号：24

期　　号：20

起止页码：1-4

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响。X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3Si4的能带结构和态密度进行了计算,结果表明它是一种金属,价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成,导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成。

关 键 词：Ba3Si4薄膜  电子结构 磁控溅射 退火 择优取向  

分 类 号：O613.71]